घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDB52N20TM
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FDB52N20TM

Mfr# FDB52N20TM
Mfr. FSC
विवरण MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
डाटा शीट FDB52N20TM.pdf
RoHs स्थिति / RoHS कॉम्प्लाइंट
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विवरण

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भाग संख्या FDB52N20TM
उत्पादक FSC
विवरण MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस / RoHS कॉम्प्लाइंट
उपलब्ध मात्रा 128875 pcs
डाटा शीट FDB52N20TM.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स) ±30V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK
शृंखला UniFET™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 49 mOhm @ 26A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 357W (Tc)
पैकेजिंग Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम FDB52N20TMCT
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
निर्माता मानक लीड टाइम 27 Weeks
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2900pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 63nC @ 10V
FET प्रकार N-Channel
FET फ़ीचर -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200V
विस्तृत विवरण N-Channel 200V 52A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D²PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 52A (Tc)

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