घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDB5690
FDB5690 Image
छवियाँ केवल संदर्भ के लिए हैं उत्पाद विवरण देखें

FDB5690

Mfr# FDB5690
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
विवरण MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
डाटा शीट FDB5690.pdf
RoHs स्थिति लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
अधिक जानकारी AMI Semiconductor / ON Semiconductor FDB5690 के बारे में अधिक जानकारी दें
कृपया अपनी संपर्क जानकारी के साथ सभी आवश्यक क्षेत्रों को पूरा करें। "RFQ" पर क्लिक करें हम जल्द ही आपसे ईमेल द्वारा संपर्क करेंगे। या हमें ईमेल करें:

विवरण

हम FDB5690 की आपूर्ति कर सकते हैं, FDB5690 पीआईआरसीई और लीड टाइम का अनुरोध करने के लिए अनुरोध उद्धरण फॉर्म का उपयोग करें।Instockin एक पेशेवर इलेक्ट्रॉनिक घटक वितरक है।उपलब्ध इलेक्ट्रॉनिक घटकों के 7+ मिलियन लाइन आइटम के साथ तुरंत डिलीवरी के लिए स्टॉक में इलेक्ट्रॉनिक घटकों की 250 हजार से अधिक हिस्सों की संख्या में कम लीड-टाइम में जहाज भेज सकते हैं, जिसमें भाग संख्या FDB5690 शामिल हो सकता है। मात्रा के आधार पर FDB5690 के लिए कीमत और लीड टाइमआवश्यक, उपलब्धता और गोदाम स्थान। आज हमें संपर्क करें और हमारे बिक्री प्रतिनिधि आपको भाग # FDB5690 पर मूल्य और वितरण प्रदान करेंगे। हम सहयोग के दीर्घकालिक संबंध स्थापित करने के लिए आपके साथ काम करने के लिए तत्पर हैं।

कोट अनुरोध करें

उद्धरण के लिए अनुरोध सबमिट करने के लिए नीचे दिए गए फ़ॉर्म का उपयोग करें
लक्ष्य कीमत(USD)
मात्रा
*भाग संख्या
*संपर्क नाम
*कंपनी
*ईमेल
*फ़ोन
संदेश
भाग संख्या FDB5690
उत्पादक AMI Semiconductor / ON Semiconductor
विवरण MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 5258 pcs
डाटा शीट FDB5690.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स) ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-263AB
शृंखला PowerTrench®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 27 mOhm @ 16A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 58W (Tc)
पैकेजिंग Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम FDB5690CT
परिचालन तापमान -65°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1120pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 33nC @ 10V
FET प्रकार N-Channel
FET फ़ीचर -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 6V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60V
विस्तृत विवरण N-Channel 60V 32A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount TO-263AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 32A (Tc)

उद्योग समाचार