घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSUP80090E-GE3
SUP80090E-GE3 Image
छवियाँ केवल संदर्भ के लिए हैं उत्पाद विवरण देखें

SUP80090E-GE3

Mfr# SUP80090E-GE3
Mfr. Vishay Precision Group
विवरण MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
डाटा शीट SUP80090E-GE3.pdf
RoHs स्थिति लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
अधिक जानकारी Electro-Films (EFI) / Vishay SUP80090E-GE3 के बारे में अधिक जानकारी दें
कृपया अपनी संपर्क जानकारी के साथ सभी आवश्यक क्षेत्रों को पूरा करें। "RFQ" पर क्लिक करें हम जल्द ही आपसे ईमेल द्वारा संपर्क करेंगे। या हमें ईमेल करें:

विवरण

हम SUP80090E-GE3 की आपूर्ति कर सकते हैं, SUP80090E-GE3 पीआईआरसीई और लीड टाइम का अनुरोध करने के लिए अनुरोध उद्धरण फॉर्म का उपयोग करें।Instockin एक पेशेवर इलेक्ट्रॉनिक घटक वितरक है।उपलब्ध इलेक्ट्रॉनिक घटकों के 7+ मिलियन लाइन आइटम के साथ तुरंत डिलीवरी के लिए स्टॉक में इलेक्ट्रॉनिक घटकों की 250 हजार से अधिक हिस्सों की संख्या में कम लीड-टाइम में जहाज भेज सकते हैं, जिसमें भाग संख्या SUP80090E-GE3 शामिल हो सकता है। मात्रा के आधार पर SUP80090E-GE3 के लिए कीमत और लीड टाइमआवश्यक, उपलब्धता और गोदाम स्थान। आज हमें संपर्क करें और हमारे बिक्री प्रतिनिधि आपको भाग # SUP80090E-GE3 पर मूल्य और वितरण प्रदान करेंगे। हम सहयोग के दीर्घकालिक संबंध स्थापित करने के लिए आपके साथ काम करने के लिए तत्पर हैं।

कोट अनुरोध करें

उद्धरण के लिए अनुरोध सबमिट करने के लिए नीचे दिए गए फ़ॉर्म का उपयोग करें
लक्ष्य कीमत(USD)
मात्रा
*भाग संख्या
*संपर्क नाम
*कंपनी
*ईमेल
*फ़ोन
संदेश
भाग संख्या SUP80090E-GE3
उत्पादक Vishay Precision Group
विवरण MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 20242 pcs
डाटा शीट SUP80090E-GE3.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स) ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB
शृंखला ThunderFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9.4 mOhm @ 30A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 375W (Tc)
पैकेजिंग Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3
दुसरे नाम SUP80090E-GE3CT
SUP80090E-GE3CT-ND
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3425pF @ 75V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 95nC @ 10V
FET प्रकार N-Channel
FET फ़ीचर -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 7.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150V
विस्तृत विवरण N-Channel 150V 128A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 128A (Tc)

उद्योग समाचार