IRF3007PBF

Mfr#	IRF3007PBF
Mfr.	IR
विवरण	MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
डाटा शीट	IRF3007PBF.pdf
RoHs स्थिति	/ RoHS कॉम्प्लाइंट
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विवरण

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संबंधित उत्पाद

भाग संख्या	IRF3007PBF
उत्पादक	IR
विवरण	MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस	/ RoHS कॉम्प्लाइंट
उपलब्ध मात्रा	78362 pcs
डाटा शीट	IRF3007PBF.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220AB
शृंखला	HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	12.6 mOhm @ 48A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	200W (Tc)
पैकेजिंग	Tube
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3
दुसरे नाम	*IRF3007PBF SP001571144
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति	Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	3270pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	130nC @ 10V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	75V
विस्तृत विवरण	N-Channel 75V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	75A (Tc)