घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSUP90330E-GE3
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SUP90330E-GE3

Mfr# SUP90330E-GE3
Mfr. Electro-Films (EFI) / Vishay
विवरण MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
डाटा शीट SUP90330E-GE3.pdf
RoHs स्थिति लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
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भाग संख्या SUP90330E-GE3
उत्पादक Electro-Films (EFI) / Vishay
विवरण MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 24643 pcs
डाटा शीट SUP90330E-GE3.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स) ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB
शृंखला ThunderFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 125W (Tc)
पैकेजिंग Tube
पैकेज / प्रकरण TO-220-3
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1172pF @ 100V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 32nC @ 10V
FET प्रकार N-Channel
FET फ़ीचर -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 7.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200V
विस्तृत विवरण N-Channel 200V 35.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 35.8A (Tc)

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